Специалисты ожидают прорыв на рынке.
Ученые новосибирского Института физики полупроводников СО РАН работают над созданием нового поколения флэш-памяти, сообщает ТАСС.
Новое устройство будет работать в тысячу раз быстрее и в миллион раз надежнее, чем нынешние флэш-накопители.
Такая память будет потреблять меньше энергии, а следовательно дольше держать заряд устройства, в которое она установлена. Также она позволит уменьшить объем аккумулятора и сократить вес аппарата.
Отмечается, что после откатки технологии новая флэш-память будет не дороже той, что существует сейчас.
Внедрение новой технологии произойдет не раньше, чем после 2020 года. На сегодняшний день такой тип памяти в России не производится. Затраты на открытие завода по ее производству оцениваются в сумму около 4 млрд долларов.
На данный момент объем рынка флэш-памяти в мире составляет порядка 30 млрд долларов в год.